TPS78101DRVR 150 مللي أمبير ، منخفض للغاية ، معدل الذكاء

تقدم عائلة TPS781 من المنظمين منخفضي التسرب (LDO) مزايا الطاقة فائقة الانخفاض (I_Q= 1µA) ، عبوة مصغرة (2 × 2 SON-6) ، ومستويات جهد إخراج ثنائي المستوى قابلة للتحديد.يتوفر أيضًا إصدار قابل للتعديل ، ولكن ليس لديه القدرة على تغيير مستويات الجهد.

الخامس_تعيينيسمح الدبوس للمستخدم النهائي بالتبديل بين مستويين من الجهد أثناء التنقل من خلال إدخال متوافق مع المعالج الدقيق.تم تصميم LDO هذا خصيصًا للتطبيقات التي تعمل بالبطاريات حيث يلزم مستوى جهد مزدوج.مع أنا_Q(1µA) والمعالجات الدقيقة وبطاقات الذاكرة وأجهزة الكشف عن الدخان هي تطبيقات مثالية لهذا الجهاز.

تسمح الطاقة المنخفضة للغاية والفولتية الاختيارية ذات المستوى المزدوج للمصممين بتخصيص استهلاك الطاقة لتطبيقات محددة.يمكن للمصممين الآن التحول إلى مستوى جهد أقل في تصميم يعمل بالبطارية عندما يكون المعالج الدقيق في وضع السكون ، مما يقلل بشكل أكبر من استهلاك الطاقة الكلي للنظام.يتم ضبط مستويي الجهد مسبقًا في المصنع من خلال بنية فريدة باستخدام EPROM.تسمح تقنية EPROM بالعديد من خيارات جهد الخرج بين V._تعيينمنخفض (1.5 فولت إلى 4.2 فولت) و V._تعيينعالي (2.0 فولت إلى 3.0 فولت) في إصدار الإخراج الثابت فقط.انظر الجدول في ورقة البيانات هذه أو استشر ممثل المصنع المحلي للحصول على خيارات الجهد ومعلومات الطلب الدقيقة ؛قد يتم تطبيق كميات من أجل الحد الأدنى.

تم تصميم سلسلة TPS781 لتكون متوافقة مع TI MSP430 وغيرها من المنتجات المماثلة.دبوس التمكين متوافق مع منطق CMOS القياسي.هذا LDO مستقر مع أي مكثف خرج أكبر من 1.0 درجة فهرنهايت.لذلك ، تتطلب تطبيقات هذا الجهاز الحد الأدنى من مساحة اللوحة بسبب العبوة المصغرة ومكثف الإخراج الصغير المحتمل.سلسلة TPS781 أنا_Q(1µA) يأتي أيضًا مع إغلاق حراري وحد تيار لحماية الجهاز أثناء حالات الخطأ.جميع العبوات لها نطاق درجة حرارة التشغيل T_J= -40 درجة مئوية إلى + 125 درجة مئوية.للتطبيقات عالية الأداء التي تتطلب خيار جهد مزدوج المستوى ، ضع في اعتبارك سلسلة TPS780 ، مع I_Q500nA والجهد الديناميكي التحجيم.